Itme

 
 
Znajdujesz się na: Strona główna > O instytucie > Historia

Historia

Elektronika w Polsce zaczęła się odradzać po drugiej wojnie światowej. Powstały, zgrupowane w Zjednoczeniu Przemysłu Elektronicznego UNITRA, fabryki produkujące lampy radiowe, odbiorniki i nadajniki.

Odkrycie tranzystorów, układów scalonych, diod luminescencyjnych i lasera otworzyło przed elektroniką nowe perspektywy. Szybko podjęte zostały prace nad tymi nowymi kierunkami. Prof. dr hab. inż. Witold Rosiński skonstruował pierwszy w kraju tranzystor germanowy.

W roku 1970, w ramach koncentracji polskiego przemysłu elektronicznego, utworzono Naukowo - Produkcyjne Centrum Półprzewodników CEMI (NPCP), w skład którego weszły: Fabryka Półprzewodników TEWA, Instytut Technologii Elektronowej, Przemysłowy Instytut Elektroniki.

15 lipca 1970 r. zarządzeniem Nr 497 Org/70 Ministra Przemysłu Maszynowego został utworzony Zakład Doświadczalny Produkcji Materiałów Półprzewodnikowych działający przy Naukowo - Produkcyjnym Centrum Półprzewodników CEMI.

Rok później Minister Przemysłu Maszynowego zarządzeniem Nr 597/Otg/71 utworzył Ośrodek Naukowo - Produkcyjny Materiałów Półprzewodnikowych (ONPMP) działający w ramach i pod kierownictwem Zakładu Doświadczalnego Produkcji Materiałów Półprzewodnikowych.

Przedmiotem działania Ośrodka Naukowo - Produkcyjnego Materiałów Półprzewodnikowych (ONPMP)  było rozwiązywanie problemów materiałowych w pełnych cyklach rozwojowych poprzez prowadzenie prac naukowo-badawczych stosowanych, prac rozwojowych i wdrożeniowych oraz prowadzenie produkcji doświadczalnej w Zakładzie Doświadczalnym Ośrodka. Prace te obejmowały tematykę związaną z opracowywaniem technologii i badaniami w zakresie takich materiałów jak:
- krzem i german,
- związki półprzewodnikowe grupy AIIIBV i AIIBIV,
- metale wysokiej czystości i stopy specjalne,
- związki chemiczne stosowane w produkcji elementów półprzewodnikowych i układów mikroelektronicznych,
- materiały dielektryczne oraz wyroby z tych materiałów,
- ażury do układów scalonych.

Pierwszym Dyrektorem ONPMP został prof. Bolesław Jakowlew, a jego zastępcą  ds. rozwoju mgr Paweł Drzewiecki.

Na przełomie lat 1970/71 w Ośrodku utworzono Dział Metodyki i Aparatury Pomiarowej pod kierownictwem inż. Tadeusza Żero oraz Zakładowy Ośrodek Informacji Naukowej, Technicznej i Ekonomicznej pod kierownictwem Janusza Generowicza.

W 1973 r. zaczął ukazywać się kwartalnik pt. „Materiały Elektroniczne”. Kolegium redakcyjnemu przewodniczył Dyrektor ONPMP prof. Bolesław Jakowlew, a autorami pierwszego numeru byli:
-  W. Brzozowski: Badania nad otrzymaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2,
-  E. Pietras, A. Hruban: Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych,
- J. Mielnik: Spektrometr masowy podwójnie ogniskujący,
- W. Włosiński: Pomiary i badania rozkładu temperatur i naprężeń w złączach ceramika-metal.

W 1974 r. Ośrodek rozpoczął wydawanie monografii pt. „Prace ONPMP”, którego redaktorem naczelnym został Dyrektor ONPMP  prof. Bolesław Jakowlew, zastępcą mgr Paweł Drzewiecki, a redaktorami działowymi: dr inż. Jan Bekisz, prof. Bohdan Ciszewski, dr inż. Zenon Horubała, dr inż. Andrzej Hruban, mgr inż. Czesław Jaworski, Edward Szabelski, prof. Władysław Włosiński. Sekretarzem Redakcji została mgr Ewa Brojan.

W latach siedemdziesiątych ONPMP składał się z trzech pionów:
- Pionu Badań Strukturalnych, kierowanego przez dr. inż. Zenona Horubałę,
- Pionu Dielektryków, kierowanego przez prof. Andrzeja Szymańskiego,
- Pionu Chemii kierowanego przez dr. inż. Jana Bekisza.

Zakłady naukowe wchodzące w skład pionów zlokalizowane były w wielu miejscach Warszawy: przy ul. Konstruktorskiej - gdzie mieściła się również dyrekcja Instytutu, w gmachu „Pasty” przy ul. Zielnej, na terenie Fabryki Półprzewodników TEWA przy ul. Domaniewskiej i w Przemysłowym Instytucie Elektroniki przy ul. Długiej.

W 1975 r. Ośrodek uzyskał tereny przy ul. Wólczyńskie, gdzie w 1977 r. rozpoczęła się budowa jego nowej siedziby.

Zarządzeniem Nr 32/Org/78 z dnia 18.10.1978 r. Minister Przemysłu Maszynowego wydzielił Zakład Doświadczalny Produkcji Materiałów Półprzewodnikowych z Naukowo - Produkcyjnego Centrum Półprzewodników CEMI tworząc przedsiębiorstwo państwowe pn. Centrum Naukowo-Produkcyjne Materiałów Elektronicznych (CNPME).

Zarządzeniem Nr 14 Prezesa Rady Ministrów z dnia 5 lutego 1979 roku  (M. P. Nr 4, poz. 37), w drodze przekształcenia, z działającego od lipca 1971 r. Ośrodka Naukowo - Produkcyjnego Materiałów Półprzewodnikowych utworzony został  Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych. Nadzór nad Instytutem powierzono Ministrowi Przemysłu Maszynowego, natomiast kierownictwo nad Instytutem Dyrektorowi CNPME. Przedmiotem działania Instytutu było prowadzenie prac naukowo-badawczych i rozwojowych oraz wdrożeń w sprawach materiałów elektronicznych, a w szczególności dotyczących technologii otrzymywania, obróbki i efektywnego wykorzystania tych materiałów na potrzeby elektronizacji.

W czerwcu 1985 r. Minister Hutnictwa i Przemysłu Maszynowego zmienił nazwę CNPME na Unitra CEMAT.

14 grudnia 1987 r. Minister Przemysłu nadał Instytutowi nowy statut i wyodrębnił stanowisko Dyrektora Instytutu jednakże utrzymał nadzór dyrektora Unitry CEMAT nad Instytutem.

12 lipca 1990 r. Minister Przemysłu zarządzeniem Nr 317/Org/90 przejął nadzór nad Instytutem.

Pierwszym Dyrektorem  Instytutu do czerwca 1982 r. był prof. B. Jakowlew, od czerwca 1982 r. do sierpnia 1987 r.  dr inż. Mieczysław Frącki, a od sierpnia 1987 r. do lutego 1994 r. prof. dr hab. inż. Wiesław Marciniak. 
W lutym 1994 r., w drodze konkursu, Dyrektorem Instytutu został dotychczasowy kierownik Zakładu Technologii Materiałów Tlenkowych dr Zygmunt Łuczyński, który kieruje Instytutem do dnia dzisiejszego.

Pierwszym Przewodniczącym Rady Naukowej Instytutu został prof. dr hab. Bohdan Ciszewski, a następnie w latach 1981 – 1991 r. prof. Bohdan Paszkowski. W latach 1991-1997 funkcję Przewodniczącego Rady Naukowej ponownie pełnił prof. B. Ciszewski. Od roku 1997 r.  Radzie Naukowej ITME nieprzerwanie przewodniczy prof. dr hab. inż. Władysław Włosiński.

Do roku 1991 strukturę organizacyjną Instytutu tworzyły trzy piony badawczo-rozwojowe, tj.:
- Technologii Materiałów Monokrystalicznych B-1 (kier. mgr Andrzej Tumański) obejmujący 5 zakładów, tj.: Technologii Krzemu (kier. dr inż. Andrzej Bukowski), Technologii Związków Półprzewodnikowych (kier. dr inż. Andrzej Hruban), Epitaksji (kier. dr inż. Elżbieta Nossarzewska-Orłowska), Technologii Monokryształów Tlenkowych (kier. dr Zygmunt Łuczyński), Zastosowań Materiałów Monokrystalicznych (kier. dr inż. Lech Dobrzański),
- Technologii Metali i Dielektryków B-2 (kier. doc. dr inż. Jan Kowalczyk) obejmujący 6 zakładów, tj.: Kompozytów (kier. mgr inż. Henryk Mogielnicki), Ceramiki i Złączy (kier. doc. dr  Zdzisław Librant), Technologii Chemicznych (kier. dr inż. Eugeniusz Najdeker), Szkieł (kier. dr Longin Kociszewski), Metalurgii (kier. mgr M. Romanis), Past (kier. dr inż. Selim Achmatowicz) oraz Samodzielną Pracownię Surowców Elektronicznych,
- Miernictwa i Urządzeń Specjalnych B-3 (kier. inż. Tadeusz Żero) obejmujący 3 zakłady, tj.: Unikalnych Metod Pomiarowych (kier. dr inż. Krzysztof Kalinowski),  Miernictwa (kier. mgr inż. Piotr Cybulski), Budowy Urządzeń Technologicznych (kier. inż. Wojciech Strzelecki).

Zastępcami Dyrektora Instytutu byli: ds. Rozwoju dr inż. Jan Bekisz, ds. Ekonomiczno-Finansowych mgr Edward Sawicki oraz ds. Budowy Urządzeń Technologicznych Bogdan Zalewski. Sekretarzem Naukowym nadzorującym: Sekcję Rozwoju i Oceny Kadr, Zespół Rzeczników Patentowych, Ośrodek Informacji Naukowej, Technicznej oraz Dział Wynalazczości, został prof. dr hab. inż. Andrzej Jeleński.

W 1991 r. w kierownictwie ITME nastąpiły zmiany - Zastępcą Dyrektora ds. Materiałów Monokrystalicznych został dr inż. Andrzej Bukowski obejmując kierowanie Pionem B-1. Zastępcą Dyrektora ds. Metali i Dielektryków został doc. dr hab. inż. Jan Kowalczyk, Kierownik Pionu B-2, Zastępcą Dyrektora ds. Technicznych został inż. Józef Śrembowski. Głównym Specjalistą ds. Marketingu został mgr  inż. Andrzej Tumański, Głównym Inżynierem ds. Miernictwa i Urządzeń Specjalnych został inż. Tadeusz Żero, Kierownik Pionu B­-3, a Głównym Inżynierem ds. Podzespołów Elektronicznych (Pion B-4) został dr inż. Lech Dobrzański, Kierownik Zakładu Zastosowań Materiałów.

W 1992 r. w strukturze organizacyjnej Instytutu wprowadzono kolejne zmiany - zakłady naukowe zostały bezpośrednio podporządkowane Dyrektorowi Instytutu. Na stanowisko Głównego Ekonomisty powołano mgr Małgorzatę Śmietanowską, a na Głównego Księgowego mgr Teresę Rymsza.

 INSTYTUT TECHNOLOGII MA­TERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH  – OBECNIE

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME) stał się wiodącym polskim instytutem badawczym prowadzącym badania naukowe oraz prace badawczo-rozwojowe w dziedzinie:
a) nauk technicznych w zakresie inżynierii materiałowej, elektroniki, fotoniki, optoelektroniki, nformatyki, inżynierii środowiska, technologii chemicznej, metrologii,
b) nauk przyrodniczych w zakresie fizyki i chemii,
c) międzydyscyplinarnych nauk z przewagą nauk przyrodniczych i technicznych  z uwzględnieniem nanotechnologii.

W instytucie prowadzone są badania naukowe i prace rozwojowe w zakresie technologii wytwarzania, badania właściwości  i efektywnego wykorzystania  takich materiałów jak:
a) materiały półprzewodnikowe poli- i monokrystaliczne stosowane w technice półprzewodnikowej (mikroelektronika, optoelektronika, przyrządy mikrofalowe) oraz technice laserowej, w tym technologie ich syntezy, monokrystalizacji, epitaksji, domieszkowania i modyfikacji oraz obróbki cieplnej, chemicznej i mechanicznej,
b) materiały dielektryczne (monokrystaliczne, ceramiczne, szkła) dla nowych źródeł energii, światła i obrazu, elektroniki, optyki, techniki laserowej, optoelektroniki zintegrowanej, dla piezoelektroniki i techniki nadprzewodnictwa,
c) metale wysokiej czystości, stopy specjalne, materiały kontaktowe, spoiwa i pasty lutownicze, złącza ceramika-metal; związki chemiczne oraz pasty przewodzące, rezystywne i dielektryczne dla techniki grubowarstwowej,
d) nanomateriały,
e) inne materiały organiczne i nieorganiczne;

W Instytucie oprócz badań w dziedzinie technologii materiałów półprzewodnikowych, materiałów tlenkowych (aktywnych nieliniowych, piezoelektrycznych, podłożowych), szkieł i ceramik aktywnych i o zadanych charakterystykach, światłowodów (aktywnych i fotonicznych), materiałów kompozytowych, metali czystych, złącz ceramika-metal oraz  past do układów hybrydowych  prowadzone są również badania nad materiałami nowej generacji znajdującymi się w centrum zainteresowania nauki światowej. Są nimi grafen, metamateriały samoorganizujące się i gradientowe oraz materiały dla ogniw paliwowych. Prace te prowadzone są w ramach tematów statutowych, projektów badawczych międzynarodowych i krajowych oraz projektów zamawianych.

Na mocy ustawy z dnia 30.04.2010 r. o instytutach badawczych (Dz. U. Nr 96, poz. 618) z dniem 1 października 2010 roku nastąpiła zmiana formy prawnej Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych - dotychczasowa forma prawna: "jednostka badawczo- rozwojowa" została zastąpiona formą prawną: "instytut badawczy".

Nadzór nad funkcjonowaniem Instytutu sprawuje Minister Gospodarki.

Drukuj